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Características Principales

  • Transistor de Silicio NPN
  • Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 60 V
  • Corriente Colector (Ic): 15 A
  • Disipación Total: 115 W
  • Paquete TO-3 metálico
  • Resistencia Térmica (Rthj-case): 1.5 °C/W

Aplicaciones

  • Circuitos de conmutación de potencia
  • Reguladores de voltaje serie y paralelo
  • Etapa de salida en amplificadores
  • Amplificadores de alta fidelidad
Especificaciones Eléctricas
  • Vceo: 60 V
  • Vcer: 70 V
  • Vebo: 7 V
  • Ic: 15 A
  • Ib: 7 A
  • Vce(sat): 1 V (Ic=4A, Ib=400mA)
  • Vbe: 1.8 V (Ic=4A, Vce=4V)
  • hFE: 20-70 (Ic=4A, Vce=4V)
  • fT: 3 MHz (Ic=0.5A, Vce=10V)
Condiciones Máximas
  • Vcbo: 100 V
  • Vcer: 70 V
  • Vceo: 60 V
  • Vebo: 7 V
  • Ic: 15 A
  • Ib: 7 A
  • Ptot: 115 W
  • Tj: 200 °C
  • Tstg: -65 a 200 °C
Características Mecánicas
  • Paquete: TO-3
  • Material: Metal
  • Dimensiones: 39.30 mm (U) x 30.30 mm (V)
  • Peso: 40 g

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