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Características Principales

  • Diodo de Silicio de Recuperación Estándar
  • Tipo: Potencia Estándar 1N1184A
  • Polaridad Estándar: Cátodo en la Base
  • Alta Capacidad de Sobrecarga
  • No Sensitivo a Descargas Electrostáticas (ESD)
  • Temperatura de Operación: -55 a +150 °C

Especificaciones Eléctricas

  • Voltaje Repetitivo de Pico Inverso: 100 V
  • Voltaje Inverso RMS: 70 V
  • Voltaje de Bloqueo DC: 100 V
  • Corriente Directa Continua: 35 A
  • Corriente de Sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
  • Voltaje Directo: 1.2 V (IF = 35 A, Tj = 25 °C)
  • Corriente Inversa: 10 μA (VR = 50 V, Tj = 25 °C)

Especificaciones Térmicas

  • Resistencia Térmica (Junto a Carcaza): 0.25 °C/W
  • Temperatura de Almacenamiento: -55 a +150 °C
Empaque
  • Tipo: DO-5 (DO-203AB)
Aplicaciones
  • Fuentes de Alimentación
  • Sistemas de Potencia
  • Rectificación Industrial

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