Ir a contenido
Importante: Para confirmar su pedido, favor de comunicarse con su ejecutivo de ventas, ya que los precios y existencias podrían cambiar sin previo aviso.
Importante: Para confirmar su pedido, favor de comunicarse con su ejecutivo de ventas, ya que los precios y existencias podrían cambiar sin previo aviso.

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
  • Potencia de salida máxima de 100 vatios
  • Voltaje de colector de 12.5 VCC
  • Diseño robusto para alta eficiencia energética

Aplicaciones

  • Sistemas de comunicación VHF
  • Transmisores FM
  • Amplificadores de potencia RF
Especificaciones RF
  • Frecuencia: 175 MHz
  • Potencia de salida: 100 W
  • Relación de ganancia: 6.0 dB
  • Impedancia entrada: 1.5 - j 0.9 Ω
  • Impedancia carga: 0.5 - j 1.0 Ω
Especificaciones Eléctricas
  • Voltaje colector-base: 36 V
  • Voltaje colector-emisor: 18 V
  • Voltaje emisor-base: 4.0 V
  • Corriente colector: 20 A
  • Disipación de potencia: 270 W
Especificaciones Térmicas
  • Resistencia térmica (junto-case): 0.65 °C/W
  • Temperatura de unión: +200 °C
  • Temperatura almacenamiento: -65 a +150 °C
Conexiones y Empaque
  • Conexión colector: Perno
  • Conexión base: Cable
  • Conexión emisor: Cable
  • Tipo de empaque: Sellado con epoxi
Condiciones de Prueba
  • Frecuencia: 175 MHz
  • Voltaje de prueba: 12.5 VCC
  • Potencia de entrada: 25 W
  • Clase de operación: Clase C

Comparar productos

{"one"=>"Seleccione 2 o 3 artículos para comparar", "other"=>"{{ count }} de 3 artículos seleccionados"}

Seleccione el primer artículo para comparar

Seleccione el segundo artículo para comparar

Seleccione el tercer elemento para comparar

Comparar